MUNIQUE, Alemanha e OSAKA, Japão--(
BUSINESS WIRE)--10 de Março de 2015--A Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) e a Panasonic Corporation (TSE: 6752) anunciaram um acordo em que irão desenvolver conjuntamente dispositivos de nitreto de gálio (GaN) baseados na estrutura de transistores de silício Gan normalmente-off (modalidade do realce) GaN da Panasonic integrados em pacotes de dispositivo de montagem em superfície (SMD) da Infineon. Nesse contexto, a Panasonic forneceu à Infineon uma licença da sua estrutura de transistores normalmente-off GaN. Esse acordo permitirá que cada empresa fabrique dispositivos GaN de alto desempenho. Os clientes terão a vantagem adicional de possuir duas fontes possíveis para comutadores de energia Gan empacotados compatíveis GaN: uma configuração não disponível para nenhum outro GaN em dispositivo de silício até hoje. Ambas as partes acordaram em não divulgar mais detalhes do contrato. Pela primeira vez, as empresas irão apresentar amostras de um dispositivo de 600V 70m em um pacote DSO (Small Outline Dual) na feira comercial Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC, sigla em inglês para Conferência e Exposição de Eletrônica de Potência Aplicada), que será realizada em Charlotte, no estado norte-americano da Carolina do Norte, de 15 a 19 de março de 2015.
GaN em silício tem recebido significativa atenção como uma das próximas tecnologias de semicondutores compostos que permitirão, por um lado, alta densidade energética portanto, um impacto menor (por exemplo, para fontes de alimentação e adaptadores) e, por outro lado, servirão como um importante elemento para a melhoria da eficiência energética. Em geral, dispositivos energéticos baseados em GaN em tecnologia de silício podem ser usados em uma grande variedade de campos, de aplicações industriais de alta tensão, como fontes de alimentação em fazendas de servidores (uma potencial aplicação do dispositivo apresentado GaN de 600V) a aplicações de baixa tensão, como conversão DC-DC (por exemplo, em bens de consumo topo de linha). De acordo com um relatório de pesquisa de mercado da IHS, o mercado relacionado de GaN em silício para semicondutores de energia deverá crescer com uma composta taxa de crescimento anual (CAGR) superior a 50%, levando a uma expansão do volume de US$ 15 milhões em 2014 para US$ 800 milhões até 2023.
A Infineon tem o compromisso de atender a seus clientes com um amplo portfólio de produtos e tecnologia, o melhor em sua classe, incluindo dispositivos energéticos confiáveis baseados em nitreto de gálio. Estamos convencidos de que GaN de modo reforçado em comutadores de silício, juntamente com nosso condutor correspondente e o esquema de condução otimizada, vão propiciar alto valor para nossos clientes. Ao mesmo tempo, o conceito de sourcing dual irá ajudá-los a gerir e estabilizar suas cadeias de suprimentos", afirmou Andreas Urschitz, presidente do setor de gerenciamento de energia e multimercados da Infineon Technologies AG.
A Panasonic desenvolveu sua tecnologia de energia Gan normalmente-off, que possui uma configuração simples, dinâmica e de fácil controle, fazendo pleno uso de sua experiência em semicondutores compostos. Esperamos acelerar a expansão dos dispositivos de energia GaN pelo licenciamento nossa estrutura de transistores GaN normalmente-off pela nossa tecnologia de energia GaN para a Infineon. Iremos contribuir continuamente para soluções de acordo com as solicitações dos consumidores, inovando nossa tecnologia GaN normalmente-off, afirmou Toru Nishida, presidente da Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.
Sobre a Infineon
A Infineon Technologies AG é uma líder mundial em semicondutores. Ela oferece soluções em produtos e sistemas, abordando três desafios centrais da sociedade moderna: eficiência energética, mobilidade e segurança. No ano fiscal de 2014 (que se encerra em 30 de setembro), a empresa registrou vendas de 4,3 bilhões de euros com cerca de 29.800 funcionários no mundo todo. Em janeiro de 2015, a Infineon adquiriu a International Rectifier Corporation, empresa sediada nos EUA e fornecedora líder de tecnologia de gestão de energia, com receitas de US$ 1,1 bilhão (ano fiscal de 2014 encerrado em 29 de junho) e cerca de 4.200 funcionários.
A Infineon está listada na bolsa de valores de Frankfurt (código da ação: IFX) e nos EUA no mercado OTCQX International Premier (código da ação: IFNNY). Mais informações estão disponíveis em
www.infineon.com.
Este comunicado de imprensa está disponível on-line em
www.infineon.com/press.
Sobre a Panasonic
A Panasonic Corporation é líder mundial em desenvolvimento e engenharia de tecnologias eletrônicas e soluções para clientes residenciais, não residenciais, aplicações móveis e pessoais. Desde a sua fundação em 1918, a empresa se expandiu globalmente, e hoje opera mais de 500 empresas consolidadas em todo o mundo, registrando vendas líquidas consolidadas de 7,74 trilhões de ienes para o ano encerrado em 31 de março de 2014. Empenhada na busca de novos valores através da inovação das linhas divisionais, a empresa se esforça para criar uma vida melhor e um mundo melhor para seus clientes. Para mais informações sobre a Panasonic, acesse o site da empresa, em
http://panasonic.net/.
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