Toshiba Memory Corporation anuncia memória Flash 3D de 96 camadas
TOKYO--(BUSINESS WIRE-DINO - 28 jun, 2017) -
A Toshiba Memory Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje que desenvolveu uma amostra de protótipo de memória flash tridimensional (3D) BiCS FLASH? de 96 camadas com uma estrutura de células empilhadas[1], com tecnologia de três bits por célula, ou célula de nível triplo (triple-level cell, TLC). O lançamento de amostras do novo produto de 96 camadas, que é um dispositivo de 256 gigabit (32 gigabytes), está programado para o segundo semestre de 2017, e a produção em massa está programada para 2018. O novo dispositivo atende às exigências do mercado e as especificações de desempenho de aplicativos, que incluem SSD comercial e empresarial, smartphones, tablets e cartões de memória. De agora em diante, a Toshiba Memory Corporation aplicará sua nova tecnologia de processo de 96 camadas a produtos de maior capacidade, como 512 gigabit (64 gigabytes) e tecnologia de quatro bits por célula (célula de nível quádruplo, QLC), no futuro próximo. O inovador processo de empilhamento de 96 camadas é combinado com uma tecnologia avançada de processo de circuito e fabricação para alcançar uma capacidade aproximadamente 40% maior por tamanho de chip de unidade, em relação ao processo de empilhamento de 64 camadas. Reduz o custo por bit e aumenta a fabricabilidade de capacidade de memória por uma pastilha de silício. Desde que anunciou o primeiro[2]protótipo de tecnologia de memória flash 3D em 2007, a Toshiba Memory Corporation continuou a avançar no desenvolvimento de memória flash 3D e está promovendo ativamente a BiCS FLASH? para atender a exigência de maior capacidade com tamanhos menores de molde. Essa BiCS FLASH? de 96 camadas será fabricada na Yokkaichi Operations, Fab 5, a nova Fab 2 e na Fab 6, que será inaugurada no verão de 2018. Observação:
1. Uma estrutura que empilha verticalmente células de memória flash num substrato de silício para alcançar melhorias significativas de densidade em relação à memória Flash planar NAND, onde as células são formadas no substrato de silício.
2. Fonte: Toshiba Memory Corporation, 12 de junho de 2007.
* Nomes de empresa, nomes de produtos e nomes comerciais mencionados neste comunicado podem ser marcas comerciais de suas respectivas empresas. O texto no idioma original deste anúncio é a versão oficial autorizada. As traduções são fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que é a única versão do texto que tem efeito legal.
Toshiba Memory Corporation
Kota Yamaji, +81-3-3457-3473
Divisão de planejamento empresarial
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp Fonte: BUSINESS WIRE
A Toshiba Memory Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje que desenvolveu uma amostra de protótipo de memória flash tridimensional (3D) BiCS FLASH? de 96 camadas com uma estrutura de células empilhadas[1], com tecnologia de três bits por célula, ou célula de nível triplo (triple-level cell, TLC). O lançamento de amostras do novo produto de 96 camadas, que é um dispositivo de 256 gigabit (32 gigabytes), está programado para o segundo semestre de 2017, e a produção em massa está programada para 2018. O novo dispositivo atende às exigências do mercado e as especificações de desempenho de aplicativos, que incluem SSD comercial e empresarial, smartphones, tablets e cartões de memória. De agora em diante, a Toshiba Memory Corporation aplicará sua nova tecnologia de processo de 96 camadas a produtos de maior capacidade, como 512 gigabit (64 gigabytes) e tecnologia de quatro bits por célula (célula de nível quádruplo, QLC), no futuro próximo. O inovador processo de empilhamento de 96 camadas é combinado com uma tecnologia avançada de processo de circuito e fabricação para alcançar uma capacidade aproximadamente 40% maior por tamanho de chip de unidade, em relação ao processo de empilhamento de 64 camadas. Reduz o custo por bit e aumenta a fabricabilidade de capacidade de memória por uma pastilha de silício. Desde que anunciou o primeiro[2]protótipo de tecnologia de memória flash 3D em 2007, a Toshiba Memory Corporation continuou a avançar no desenvolvimento de memória flash 3D e está promovendo ativamente a BiCS FLASH? para atender a exigência de maior capacidade com tamanhos menores de molde. Essa BiCS FLASH? de 96 camadas será fabricada na Yokkaichi Operations, Fab 5, a nova Fab 2 e na Fab 6, que será inaugurada no verão de 2018. Observação:
1. Uma estrutura que empilha verticalmente células de memória flash num substrato de silício para alcançar melhorias significativas de densidade em relação à memória Flash planar NAND, onde as células são formadas no substrato de silício.
2. Fonte: Toshiba Memory Corporation, 12 de junho de 2007.
* Nomes de empresa, nomes de produtos e nomes comerciais mencionados neste comunicado podem ser marcas comerciais de suas respectivas empresas. O texto no idioma original deste anúncio é a versão oficial autorizada. As traduções são fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que é a única versão do texto que tem efeito legal.
Ver a versão original em businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20170628005790/pt/
Contato:Toshiba Memory Corporation
Kota Yamaji, +81-3-3457-3473
Divisão de planejamento empresarial
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp Fonte: BUSINESS WIRE