Funciona com desempenho de baixa resistência de classe superior
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TÓQUIO, Japão--(
BUSINESS WIRE)--18 de Julho de 2013--A
Toshiba Corporation (TÓKIO:6502) anunciou hoje que lançou a 4
.ª geração de seus MOSFETs de super junção, a série "DTMOS IV" de dispositivos de 650V. O "TK14A65W" foi lançado como o produto inicial da série e a produção em massa em grande escala está prevista para começar em agosto de 2013.
Usando o processo epitaxial single mais recente, a série reduz o Ron·A (resistência por área) por aproximadamente 50%
2 em comparação com a série "DTMOS II" de 650V existente. Isto permite uma linha de pequenos pacotes, contribuindo a melhora da eficiência energética e redução do tamanho dos produtos em que estejam integrados.

Toshiba 650V system DTMOS IV series, "TK14A65W" (Photo: Business Wire)
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Especificações principais
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Número da peça
| | Embalagem | |
Classificações máximas absolutas
| | RDS(ON) Max () | | Qg Typ. (nC) | | Ciss Typ. (pF) |
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| | VDSS (V) | | ID (A) | | VGS=10V | | |
| TK14A65W | | TO-220SIS | | 650 | | 13,7 | | 0,25 | | 35 | | 1300 |
Notas:
[1] A partir de julho de 2013. Pesquisa pela Toshiba Corporation.
[2] Em comparação com "TK17A65U".
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