Baixa resistência reduz a perda de condução em equipamentos móveis
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TÓQUIO, Japão--(
BUSINESS WIRE)--10 de Julho de 2013--A
Toshiba Corporation (TOKYO:6502) anunciou hoje que expandiu sua linha de MOSFETs de canal N de baixa voltagem, usados em circuitos de proteção para baterias de íon de lítio e em interruptores de gerenciamento de energia para equipamentos móveis, com o "TPN2R203NC". Fabricado com processos de oitava geração, o TPN2R203NC percebe baixa resistência, que reduz a perda de condução em equipamento.

Toshiba Low Voltage N-channel MOSFET "TPN2R203NC" (Photo: Business Wire)
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| Características principais |
| 1. | |
Processo de oitava geração percebe baixa resistência.
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| 2. | | Pacote TSON Advance com boa condutividade térmica. |
| 3. | | Alta resistência de avalanche. |
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Especificações principais
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| Número da peça | | Embalagem | | VDSS (V) | | RDS(ON) (m) |
| | | VGS=10V | | VGS=4,5V |
| | | Tipo | | Máx. | | Tipo | | Máx. |
| TPN2R203NC | | TSON Advance | | 30 | | 1,8 | | 2,2 | | 2,8 | | 3,6 |
| | | | | | | | | | | | |
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Sobre a Toshiba
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A Toshiba foi fundada em 1875 e hoje opera uma rede global de mais de 590 empresas consolidadas, com 206 mil funcionários em todo o mundo e vendas anuais que ultrapassam 5,8 trilhões de ienes (US$ 61 bilhões). Acesse o site da Toshiba em:
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