Toshiba já está enviando amostras da memória Flash 3D de 512 gigabits e 64 camadas
TÓQUIO--(BUSINESS WIRE-DINO - 22 fev, 2017) -
A Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) divulgou hoje o mais recente item de sua linha de memórias flash tridimensionais líder de mercado BiCS FLASH? com uma estrutura de células empilhadas*1, um dispositivo de 64 camadas que atinge a capacidade de 512 gigabits (64 gigabytes) com tecnologia de três bits por célula, ou célula de nível triplo (triple-level cell, TLC). O novo dispositivo será utilizado em aplicações que incluem unidades SSD comerciais e empresariais. O envio de amostras do novo chip foi iniciado este mês, e uma produção em massa do produto está programada para o segundo semestre deste ano. A Toshiba continua refinando a linha BiCS FLASH? e o próximo marco de seu desenvolvimento será a maior capacidade do mercado*2, um produto de 1 terabyte com arquitetura de 16 dados empilhados em um único pacote. Os planos preveem o início das remessas de amostras em abril de 2017. Para o novo dispositivo de 512 gigabits, a Toshiba implementou o inovador processo de empilhamento de 64 camadas para atingir uma capacidade de armazenamento por unidade de chip 65% superior ao dispositivo de 48 camadas e 256 gigabits (32 gigabytes), e ampliou a capacidade de memória por lâmina de silício, reduzindo assim o custo por bit. A divisão de negócios de memórias da Toshiba já produz dispositivos de 64 camadas e 256 gigabits (32 gigabytes) em massa, e expandirá a produção da linha BiCS FLASH?. Ela avançará a tecnologia 3D para obter maiores densidades e processos mais apurados com o objetivo de atender às necessidades de um mercado diversificado.
Sobre a Toshiba
Fundada em Tóquio, em 1875, a Toshiba Corporation é uma das empresas da Fortune Global 500 que contribui para um mundo melhor e melhores vidas com tecnologias inovadoras em energia, infraestrutura e armazenamento. Orientada pela filosofia "Comprometida com as pessoas, comprometida com o futuro", a Toshiba promove operações por meio de uma rede global de 551 empresas consolidadas que empregam 188 mil pessoas e registram vendas anuais superiores a 5,6 trilhões de ienes (US$ 50 bilhões, segundo dados de 31 de março de 2016).
Saiba mais sobre a Toshiba no site www.toshiba.co.jp/index.htm. O texto no idioma original deste anúncio é a versão oficial autorizada. As traduções são fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que é a única versão do texto que tem efeito legal.
Toshiba Corporation
Storage & Electronic Devices Solutions Company
Koichi Tanaka / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
Grupo de comunicações e Relações com investidores
Divisão de planejamento empresarial
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Fonte: BUSINESS WIRE
A Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) divulgou hoje o mais recente item de sua linha de memórias flash tridimensionais líder de mercado BiCS FLASH? com uma estrutura de células empilhadas*1, um dispositivo de 64 camadas que atinge a capacidade de 512 gigabits (64 gigabytes) com tecnologia de três bits por célula, ou célula de nível triplo (triple-level cell, TLC). O novo dispositivo será utilizado em aplicações que incluem unidades SSD comerciais e empresariais. O envio de amostras do novo chip foi iniciado este mês, e uma produção em massa do produto está programada para o segundo semestre deste ano. A Toshiba continua refinando a linha BiCS FLASH? e o próximo marco de seu desenvolvimento será a maior capacidade do mercado*2, um produto de 1 terabyte com arquitetura de 16 dados empilhados em um único pacote. Os planos preveem o início das remessas de amostras em abril de 2017. Para o novo dispositivo de 512 gigabits, a Toshiba implementou o inovador processo de empilhamento de 64 camadas para atingir uma capacidade de armazenamento por unidade de chip 65% superior ao dispositivo de 48 camadas e 256 gigabits (32 gigabytes), e ampliou a capacidade de memória por lâmina de silício, reduzindo assim o custo por bit. A divisão de negócios de memórias da Toshiba já produz dispositivos de 64 camadas e 256 gigabits (32 gigabytes) em massa, e expandirá a produção da linha BiCS FLASH?. Ela avançará a tecnologia 3D para obter maiores densidades e processos mais apurados com o objetivo de atender às necessidades de um mercado diversificado.
| *1: | Uma estrutura que empilha verticalmente células de memória Flash em um substrato de silício para obter significativas melhorias de densidade em relação à memória Flash NAND plana, em que as células estão formadas sobre o substrato de silício. | |
| *2: | Segundo dados de 22 de fevereiro de 2017. Pesquisa da Toshiba. | |
| * BiCS FLASH é uma marca comercial da Toshiba Corporation. | ||
Saiba mais sobre a Toshiba no site www.toshiba.co.jp/index.htm. O texto no idioma original deste anúncio é a versão oficial autorizada. As traduções são fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que é a única versão do texto que tem efeito legal.
Ver a versão original em businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20170222005733/pt/
Contato:Toshiba Corporation
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Grupo de comunicações e Relações com investidores
Divisão de planejamento empresarial
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Fonte: BUSINESS WIRE