Toshiba: Nova estrutura de dispositivo para MOSFETs de baixo consumo de energia para aplicações

TÓQUIO, Japão--(BUSINESS WIRE)--11 de Junho de 2013--Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunciou hoje o desenvolvimento de um transistor de alta potência de ganho através de um processo CMOS compatível. O transistor reduz eficazmente o consumo de energia em aplicações front-end em RF/Analógicos de alta frequência. Os detalhes serão apresentados no dia 12 de junho, nos simpósios de 2013 sobre tecnologia e circuitos VLSI, realizados em Quioto, Japão, 11 a 14 de junho de 2013.

O crescimento rápido de dispositivos sem fio e móveis, incluindo smartphones e tablets, lidera a demanda para circuitos de RF/Analógicos com baixo consumo de energia e alto desempenho. No entanto, é difícil aplicar as tecnologias avançadas do dispositivo e processo amplamente utilizadas em circuitos digitais para circuitos de RF/Analógicos, por causa dos resultados de dimensionamento de transistores em ruído e deterioração de eficiência de ganho de energia.

A Toshiba resolveu este problema com uma nova estrutura de dispositivo utilizando dois materiais diferentes como o elétrodo de porta de um MOSFET simples e um esquema de integração de processo que emprega um método de fabricação de semicondutor comum, amplamente utilizado. Esta abordagem tem alcançado controle de porta em nível de manômetro.

Os resultados experimentais com o transistor asseguraram significativamente menor consumo de energia sem qualquer diminuição na velocidade de operação.

A característica distinta da estrutura do dispositivo é uma película de barreira de óxido fina entre os dois materiais, o n-type Si e p-type Si no elétrodo da porta, que suprime a inter-diffusion de impurezas. Um alto campo elétrico sob a região do elétrodo da porta pode ser conseguido, melhorando a eficiência do amplificador. Uma espessura de película de óxido da porta diferente é implementada com materiais de diferentes elétrodo da porta. Essa estrutura consegue uma propriedade bem controlada de dispositivo em modo de saturação, mesmo sob tensão de operação baixa.

O novo processo de fabricação do dispositivo também é aplicável ao isolador da porta de alta permissividade (high-k) usado na fabricação de LSI digital avançado.

Sobre a Toshiba

A Toshiba é uma fabricante líder mundial diversificada, provedora de soluções e comerciante de produtos e sistemas eletrônicos e elétricos avançados. O grupo Toshiba traz inovação e imaginação para uma ampla variedade de negócios: produtos digitais, que incluem TVs de LCD, notebooks, soluções de varejo e impressoras multifuncionais; dispositivos eletrônicos, entre eles semicondutores, produtos e materiais de armazenamento; sistemas de infraestrutura industrial e social, inclusive sistemas de geração de energia, soluções para comunidades inteligentes, sistemas médicos, escadas rolantes e elevadores, e eletrodomésticos.

A Toshiba foi fundada em 1875 e hoje opera uma rede global de mais de 550 empresas consolidadas, com 202 mil funcionários em todo o mundo e vendas anuais que ultrapassam 6,1 trilhões de ienes (US$ 74 bilhões). Visite o site da Toshiba em www.toshiba.co.jp/index.htm

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