Usa pacote "DPAK+" adequado para comutação de alta velocidade
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TÓQUIO, Japão--(
BUSINESS WIRE)--6 de Março de 2013--A
Toshiba Corporation (TÓQUIO: 6502) lançou uma MOSFET ON-resistance de baixa potência 100V e de baixo vazamento usando o último processo trench MOS como um complemento à programação MOSFET para aplicações automotivas. O novo produto, "TK55S10N1", atinge ON-resistance de baixa potência com uma combinação de um chip da mais recente oitava geração do processo trench MOS "série U-MOS VIII-H" e o pacote "DPAK+" que utiliza conectores de cobre. O produto é indicado principalmente para aplicações automotivas, especialmente para aquelas que exigem comutação de alta velocidade, tais como reguladores de comutação. Amostras já estão disponíveis, com produção em massa prevista para começar em abril de 2013.

Toshiba Low ON-Resistance N-ch Power MOSFET (Photo: Business Wire)
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| Polaridade | | Número da peça | |
Tensão de escoamento para fonte VDSS (V)
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Corrente de escoamento ID (A)
| | Série |
| Nch | | TK55S10N1 | | 100 | | 55 | | U-MOS VIII-H |
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| Características principais |
| 1. | | Baixa ON-Resistance (VGS= 10V) |
| | RDS(ON) = 5.5m(typ.) |
| 2. | | Baixa corrente de fuga IDSS=10A(max) (VDS= tensão nominal) |
| 3. | | pacote "DPAK+" que realiza ON-resistance de baixa potência utilizando conectores de cobre. |
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