Toshiba lança novos diodos compactos de proteção ESD que comportam linhas de dados de alta velo
Produtos do tipo de fluxo multi-bit adicionados para a seleção da série de extrema alta velocidade
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TÓQUIO, Japão--(BUSINESS WIRE)--19 de Dezembro de 2012--A Toshiba Corporation (TÓQUIO: 6502) adicionou diodos ESD (descarga eletrostática) do tipo de fluxo multi-bit (2 bits e 4 bits) para sua série de extrema alta velocidade de baixa capacidade e baixa tensão de braçadeira. Os novos produtos, DF6D7M1N (2 bits) e DF10G7M1N (4 bits), reconhecem vários diodos, mantendo a qualidade do sinal conseguida por meio do layout do fluxo de baixa indutância. Amostras estão agora disponíveis com produção em massa prevista para o final de dezembro.
Toshiba Compact ESD Protection Diodes Supporting High-speed Data Lines (Photo: Business Wire)
Aplicações
Proteção ESD para USB 3.0 e outras interfaces
Características principais
1. Tipo fluxo multi-bit
2. Tensão baixa de braçadeira: VC=12V (typ.) em IEC61000-4-5 compatível (IPP=1A)
3. Apropriado para linhas de sinais de alta velocidade: Ct=0,3pF (typ.)
4. Nível de imunidade - ESD: ±8kV garantido em IEC61000-4-2 compatível (contato)
5. Pequenos pacotes
DF6D7M1N (2 bits) : Pacote DFN6 (1,25mm×1,0mm×0,5mm)
DF10G7M1N (4 bits) : Pacote DFN10 (2,5mm×1,0mm×0,5mm)
Especificações principais | ||
| Item | Valor | |
| Tensão inversa de pico (VRRM) | 5,0V | |
| Tensão de ruptura reversa (VBR) | 6,0V(min) @IBR=1mA | |
| Corrente reversa (IR) | 0,5A(max) @VRWM=5V | |
| Capacitância do diodo (Ct) | 0,3pF(typ.) @VR=0V, f=1MHz | |
| Tensão de braçadeira (VC) | 12V(typ.) @IPP=1A | |
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Sobre a Toshiba
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A Toshiba foi fundada em 1875 e hoje opera uma rede global de mais de 550 empresas consolidadas, com 202 mil funcionários em todo o mundo e vendas anuais que ultrapassam 6,1 trilhões de ienes (US$ 74 bilhões). Visite o site da Toshiba: www.toshiba.co.jp/index.htm
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