TOSHIBA LANÇA MOSFET ON-RESISTANCE DE BAIXA POTÊNCIA PARA ...
Também consegue baixa corrente de fuga e operação a 175°C
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TÓQUIO, Japão--(BUSINESS WIRE)--15 de Janeiro de 2013--Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) lançou um MOSFET ON-Resistance de baixa potência como a mais recente adição à sua série do pacote TO-220SIS para aplicações automotivas. O novo produto, "TK80A04K3L", também consegue baixa corrente de fuga e garante operação a 175°C. Principalmente adequado para aplicações automotivas, pode também ser usado em unidades motorizadas e reguladores de comutação.
Toshiba low ON-resistance power MOSFET in TO-220SIS package for automotive applications (Photo: Business Wire)
| Polaridade | Número da peça | Tensão de escoamento para fonte VDSS (V) | Corrente de escoamento ID (A) | Série | ||||
| Nch | TK80A04K3L | 40 | 80 | U-MOS IV | ||||
| Características principais | ||
| 1. | Baixa ON-Resistance (VGS= 10V) | |
| RDS(ON) = 1.9m(typ.) | ||
| 2. | Baixa corrente de fuga IDSS=10A(max) (VDS= tensão nominal) | |
| 3. | Tch = 175°C garantidos | |
| 4. | Pacote de inserção de terminal tipo TO-220SIS | |
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