Toshiba desenvolve modelo de simulação compacto MOS Varactor para desenvolvimento de circuitos
- Boa precisão de CC para milímetro com um modelo único -
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TÓQUIO, Japão--(BUSINESS WIRE)--17 de Dezembro de 2012--A Toshiba Corporation (Tóquio: 6502) anunciou hoje o desenvolvimento de um modelo de simulação compacto MOS-Varactor1 que proporciona precisão de alto nível de CC (corrente contínua) para a região de ondas milimétricas (60 GHz). O novo modelo foi desenvolvido em cooperação com o professor Nobuyuki Itoh, da Okayama Prefectural University.
O novo modelo MOS-Varactor compacto apresenta um algoritmo original para expressar efeitos de escala e pode capturar os impactos de efeitos parasitas que dominam na região 60 GHz Parâmetros de medição de 1MHz a 60 GHz para amostras com tamanhos de células diferentes foram usados para a modelagem. Em geral, é difícil de expressar o MOS-Varactor com um modelo único, mas este modelo recentemente desenvolvido é bem sucedido.
A captura precisa de efeitos parasitas do novo modelo apoia a realização de baixo consumo de energia de produtos RF-CMOS, e a Toshiba vai usar uma tecnologia de base para o desenvolvimento de tais chips, dispositivos-chave da divisão Analog and Imaging IC. Com base no trabalho feito até agora, a Toshiba espera garantir a simulação precisa de circuito de ondas milimétricas CMOS no futuro.
O novo modelo foi testado com amostras com comprimentos que variam de célula de 0,26 um para 2,0 um, formados com a tecnologia 65nm RF-CMOS da Toshiba. Precisão muito boa para todos os tamanhos de células foi obtida a partir de CC a 67 GHz.
A verificação deste modelo foi feita num circuito de 60GHz. A fase dependência do nível de ruído na tensão de controle do VCO GHz 60 foi medida e comparada com uma simulação do circuito, com este modelo utilizado no bloco de sintonia de frequência. A precisão da medição foi 8 dB melhor do que com o modelo convencional2.
Os resultados do desenvolvimento foram apresentados na APMC, a Conferência de Micro-ondas da Ásia-Pacífico, realizada em Taiwan de 4 a 7 de dezembro.
1. MOS (semicondutor de óxido metálico)-Varactor é um dispositivo planar, convencionalmente fabricado em tecnologia CMOS. Geralmente, é amplamente utilizado no bloco de sintonia de frequência dos circuitos VCO CMOS (oscilador controlado por tensão).
2. BSIM (modelo Berkeley canal curto IGFET) é o modelo convencional, geralmente utilizado em simular MOS-Varactor. Foi desenvolvido pela Universidade da Califórnia, em Berkeley, EUA.
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