Recém desenvolvido LDMOS canal N totalmente isolado da Toshiba obtém alta resistência HBM e alta tensão de ruptura para polarização negativa de semicondutores de geração de potência analógicos de 0,13 mícron
TÓQUIO--(BUSINESS WIRE-DINO - 02 jun, 2017) -
A Toshiba (TOKYO:6502) desenvolveu uma tecnologia LDMOS canal N totalmente isolada que supera a relação entre a tensão de ruptura para polarização negativa (BVnb) e resistência HBM, uma medida de resistência contra descarga eletrostática (ESD). Detalhes desta realização foram reportados em 1° de junho no ISPSD 2017 (Simpósio internacional sobre dispositivos semicondutores de potência e ICs 2017), uma conferência internacional sobre semicondutores de potência patrocinada pelo IEEE, realizada no Japão. Os últimos anos viram uma crescente demanda por ICs automotivos analógicos e ICs de potência com LDMOS canal N totalmente isolado e alto BVnb, especialmente dispositivos suportando tensões de 40 V ou superior. Até hoje, para se alcançar um BVnb mais alto, era necessário um compromisso para assegurar resistência HBM e, para alcançar ambos, um molde maior era necessário, a fim de isolar eletricamente os substratos e o interior do molde. Isso impedia o progresso em miniaturização e redução de custos. Além disso, visto que a resistência HBM é um parâmetro difícil de estimar sem efetivamente se fabricar os dispositivos, um novo parâmetro para estimar a resistência HBM era imperativo. A fim de superar o compromisso entre a resistência HBM e BVnb, ao mesmo tempo minimizando o tamanho do molde, a Toshiba conduziu simulações 2D TCAD de vários parâmetros e descobriu que a concentração de fluxo de corrente, que corresponde ao valor de pico do campo elétrico sob a região de dreno (EUD), depende da resistência HBM. Como resultado do uso de EUD para otimizar as características do molde pelo ajuste de vários parâmetros, a Toshiba obteve sucesso em melhorar a resistência HBM alcançando, ao mesmo tempo, a tensão nominal de 25 a 96 V. Isso também permitiu obter uma redução de 46% no tamanho do molde para produtos LDMOS canal N totalmente isolados de 80 V, satisfazendo HBM +/-4 kV, uma medida de resistência HBM. A Toshiba produziu protótipos de dispositivos baseados em processo BiCD-0.13G3 que usam a nova tecnologia e planeja iniciar a produção em massa no ano fiscal de 2018. A empresa está comprometida em contribuir para a viabilização de automóveis mais leves e eficientes e para melhorar seu desempenho pela expansão de uma gama de produtos que oferecem LDMOS canal N totalmente isolado. *1 HBM (modelo do corpo humano): um modelo para caracterizar a suscetibilidade de dispositivos eletrônicos à ESD, com base na ESD do corpo humano. *2 LDMOS canal N totalmente isolado: um transístor MOS com difusão lateral com uma estrutura que reduz o campo elétrico entre o dreno e a porta pelo completo isolamento elétrico de ambos. *3 EUD (campo elétrico sob a região do dreno): força do campo elétrico observada sob a fonte do dreno. *4 Tecnologia de processo BiCD-0.13G3: uma das tecnologias de processos de semicondutores de potência da Toshiba. Os usuários podem selecionar o processo adequado à sua aplicação: BiCD-0.13G1/G2/G3, principalmente para dispositivos automotivos; CD-0.13G3, principalmente para unidades de comando de motor; e CD-0.13G1/G2, principalmente para ICs de gerenciamento de potência. Sobre a Toshiba A Toshiba Corporation, uma empresa Fortune Global 500, canaliza recursos de nível internacional em sistemas e produtos eletrônicos e elétricos avançados em três áreas comerciais concentradas: energia que sustenta a vida de todos os dias, que é mais limpa e mais segura; infraestrutura que sustenta a qualidade de vida; e armazenamento que sustenta a sociedade de informação avançada. Orientada pelos princípios do Compromisso Básico do Grupo Toshiba, "Committed to People, Committed to the Future" (Comprometido com as pessoas, comprometido com o futuro), a Toshiba promove operações globais e está contribuindo para alcançar um mundo no qual as próximas gerações possam viver melhor. Fundada em Tóquio em 1875, a Toshiba de hoje está no centro de uma rede global com 550 empresas consolidadas, com 188.000 mil funcionários em todo o mundo e vendas anuais que ultrapassam 5,6 trilhões de ienes (US$ 50 bilhões). (Em 31 de março de 2016) Para saber mais sobre a Toshiba, acesse o site www.toshiba.co.jp/index.htm O texto no idioma original deste anúncio é a versão oficial autorizada. As traduções são fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que é a única versão do texto que tem efeito legal.
Toshiba Corporation
Storage & Electronic Devices Solutions Company
Koichi Tanaka, +81-3-3457-3576
Grupo de Relações públicas e Relacionamento com investidores
Divisão de planejamento comercial
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp Fonte: BUSINESS WIRE
A Toshiba (TOKYO:6502) desenvolveu uma tecnologia LDMOS canal N totalmente isolada que supera a relação entre a tensão de ruptura para polarização negativa (BVnb) e resistência HBM, uma medida de resistência contra descarga eletrostática (ESD). Detalhes desta realização foram reportados em 1° de junho no ISPSD 2017 (Simpósio internacional sobre dispositivos semicondutores de potência e ICs 2017), uma conferência internacional sobre semicondutores de potência patrocinada pelo IEEE, realizada no Japão. Os últimos anos viram uma crescente demanda por ICs automotivos analógicos e ICs de potência com LDMOS canal N totalmente isolado e alto BVnb, especialmente dispositivos suportando tensões de 40 V ou superior. Até hoje, para se alcançar um BVnb mais alto, era necessário um compromisso para assegurar resistência HBM e, para alcançar ambos, um molde maior era necessário, a fim de isolar eletricamente os substratos e o interior do molde. Isso impedia o progresso em miniaturização e redução de custos. Além disso, visto que a resistência HBM é um parâmetro difícil de estimar sem efetivamente se fabricar os dispositivos, um novo parâmetro para estimar a resistência HBM era imperativo. A fim de superar o compromisso entre a resistência HBM e BVnb, ao mesmo tempo minimizando o tamanho do molde, a Toshiba conduziu simulações 2D TCAD de vários parâmetros e descobriu que a concentração de fluxo de corrente, que corresponde ao valor de pico do campo elétrico sob a região de dreno (EUD), depende da resistência HBM. Como resultado do uso de EUD para otimizar as características do molde pelo ajuste de vários parâmetros, a Toshiba obteve sucesso em melhorar a resistência HBM alcançando, ao mesmo tempo, a tensão nominal de 25 a 96 V. Isso também permitiu obter uma redução de 46% no tamanho do molde para produtos LDMOS canal N totalmente isolados de 80 V, satisfazendo HBM +/-4 kV, uma medida de resistência HBM. A Toshiba produziu protótipos de dispositivos baseados em processo BiCD-0.13G3 que usam a nova tecnologia e planeja iniciar a produção em massa no ano fiscal de 2018. A empresa está comprometida em contribuir para a viabilização de automóveis mais leves e eficientes e para melhorar seu desempenho pela expansão de uma gama de produtos que oferecem LDMOS canal N totalmente isolado. *1 HBM (modelo do corpo humano): um modelo para caracterizar a suscetibilidade de dispositivos eletrônicos à ESD, com base na ESD do corpo humano. *2 LDMOS canal N totalmente isolado: um transístor MOS com difusão lateral com uma estrutura que reduz o campo elétrico entre o dreno e a porta pelo completo isolamento elétrico de ambos. *3 EUD (campo elétrico sob a região do dreno): força do campo elétrico observada sob a fonte do dreno. *4 Tecnologia de processo BiCD-0.13G3: uma das tecnologias de processos de semicondutores de potência da Toshiba. Os usuários podem selecionar o processo adequado à sua aplicação: BiCD-0.13G1/G2/G3, principalmente para dispositivos automotivos; CD-0.13G3, principalmente para unidades de comando de motor; e CD-0.13G1/G2, principalmente para ICs de gerenciamento de potência. Sobre a Toshiba A Toshiba Corporation, uma empresa Fortune Global 500, canaliza recursos de nível internacional em sistemas e produtos eletrônicos e elétricos avançados em três áreas comerciais concentradas: energia que sustenta a vida de todos os dias, que é mais limpa e mais segura; infraestrutura que sustenta a qualidade de vida; e armazenamento que sustenta a sociedade de informação avançada. Orientada pelos princípios do Compromisso Básico do Grupo Toshiba, "Committed to People, Committed to the Future" (Comprometido com as pessoas, comprometido com o futuro), a Toshiba promove operações globais e está contribuindo para alcançar um mundo no qual as próximas gerações possam viver melhor. Fundada em Tóquio em 1875, a Toshiba de hoje está no centro de uma rede global com 550 empresas consolidadas, com 188.000 mil funcionários em todo o mundo e vendas anuais que ultrapassam 5,6 trilhões de ienes (US$ 50 bilhões). (Em 31 de março de 2016) Para saber mais sobre a Toshiba, acesse o site www.toshiba.co.jp/index.htm O texto no idioma original deste anúncio é a versão oficial autorizada. As traduções são fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que é a única versão do texto que tem efeito legal.
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Contato:Toshiba Corporation
Storage & Electronic Devices Solutions Company
Koichi Tanaka, +81-3-3457-3576
Grupo de Relações públicas e Relacionamento com investidores
Divisão de planejamento comercial
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp Fonte: BUSINESS WIRE