Releases 08/11/2016 - 19:22

Toshiba ampliará capacidade de produção de memória flash 3D com a construção de nova unidade de fabricação em Yokkaichi


TÓQUIO--(BUSINESS WIRE-DINO - 08 nov, 2016) -
Toshiba Corporation (TÓQUIO: 6502) anunciou hoje o cronograma resumido da construção de uma instalação moderna de fabricação (fab) em Yokkaichi Operations em Mie, Japão, para aumento da produção da BiCS FLASHTM, memória Flash 3D exclusiva da empresa[1].

Após o comunicado em março sobre a intenção da empresa de construir uma nova instalação BiCS FLASH?, a empresa decidiu iniciar as obras em fevereiro de 2017. A nova fab será exclusiva para processos de memória flash 3D. Como a Fab 5, será construída em duas fases para aprimorar o ritmo do investimento em relação às tendências do mercado, tendo o verão de 2018 como meta para conclusão da primeira fase. A Toshiba também planeja construir um novo espaço adjacente à nova fab, o Centro de P&D de Memória. Este local reunirá as atividades de desenvolvimento e pesquisa que agora são realizadas em diferentes locais, uma medida que promoverá o desenvolvimento de memórias flash.

As decisões sobre a capacidade global da nova fab e o investimento em equipamento, bem como início, plano e capacidade de produção refletirão as tendências do mercado.

A Toshiba espera continuar seus investimentos conjuntos em, e operações do empreendimento conjunto de flash com base em discussões com a Western Digital na nova instalação.

A nova fábrica terá uma estrutura antiterremotos e um design ecológico, que inclui iluminação LED em todo o edifício, além do equipamento de fabricação mais moderno em termos de economia energética. Também contará com um sistema de produção avançado que usa Inteligência Artificial (AI) para reforçar a produtividade.

Futuramente, a Toshiba ampliará seu negócio de memória e reforçará a competitividade por meio de investimentos oportunos atendendo às necessidades do mercado e através do desenvolvimento de memórias BiCS FLASH? e de nova geração.

Observação:
[1] Uma estrutura que empilha células de memória flash num substrato de silício. Isto alcança melhorias consideráveis de densidade em comparação à memória flash NAND planar, na qual as células são formadas no substrato de silício.
* BiCS FLASH é uma marca comercial da Toshiba Corporation.

Sobre a Toshiba Corporation

A Toshiba Corporation, uma empresa Fortune Global 500, canaliza recursos de nível internacional em sistemas e produtos eletrônicos e elétricos avançados em três áreas comerciais concentradas: Energia que sustenta a vida de todos os dias, que é mais limpa e mais segura; Infraestrutura que sustenta a qualidade de vida; e Armazenamento que sustenta a sociedade da informação avançada. Orientada pelos princípios do Compromisso Básico do Grupo Toshiba, "Committed to People, Committed to the Future" (Comprometido com as pessoas, comprometido com o futuro), a Toshiba promove operações globais e está contribuindo para alcançar um mundo no qual as próximas gerações possam viver melhor.
Fundada em Tóquio, em 1875, a Toshiba de hoje está no centro de uma rede global de mais de 550 empresas consolidadas, com mais de 188 mil funcionários no mundo todo e vendas anuais que ultrapassam 5,6 trilhões de ienes (US$ 50 bilhões). (A partir de 31 de março de 2016)
Para saber mais sobre a Toshiba, acesse o site www.toshiba.co.jp/index.htm

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Fonte: BUSINESS WIRE