O dispositivo de proteção contra descarga eletrostática (ESD) da Toshiba com processo de 0,13 ?m para semicondutor de energia analógico melhora as características da ESD
TÓQUIO--(BUSINESS WIRE-DINO - 15 jun, 2016) -
A Toshiba Corporation (TOKYO:6502) desenvolveu um dispositivo de proteção contra descarga eletrostática (ESD) para aplicação de semicondutor de energia analógico fabricado com tecnologia avançada de processo de 0,13 ?m, que aprimora a estrutura do transistor e melhora consideravelmente as características de ESD. A proteção contra ESD é até quatro vezes mais forte, e o desvio padrão é de apenas 1/12 da estrutura convencional. A análise de simulações 3D também permitiu que a Toshiba identificasse um mecanismo para aprimorar a estrutura do transistor, reforçando a robustez da ESD. A Toshiba anunciou esses avanços no "ISPSD2016", o simpósio internacional sobre semicondutores realizado na República Checa em 14 de junho de2016. Injeções de surtos de ESD, do corpo humano ou de equipamentos, têm o potencial para destruir dispositivos semicondutores, porque fluxos de corrente de ESD fazem com que a temperatura local aumente dentro do silício. Os dispositivos de proteção contra ESD são necessários para proteção do circuito interno. Isso é especialmente verdadeiro em dispositivos semicondutores analógicos de energia necessários para aplicação de 10V a 100V, o que precisa de uma tensão nominal alta. Nesse caso, dispositivos de proteção contra ESD devem garantir um fluxo de corrente de alta densidade, o que resulta num tamanho maior do chip. Reduzir o tamanho do dispositivo de proteção contra ESD é um problema na produção de chips mais compactos. Usando análise de simulação 3D de um evento de ESD, a Toshiba constatou que a destruição causada por ESD é devido ao aumento da temperatura da estrutura molecular que ocorre como resultado da corrente que flui no ponto de campo elétrico mais alto. Modificando-se a estrutura do transistor que prolonga a região de baixo teor resistivo de drenagem para a direção de origem e suprimindo-se a resistência do silício lateral, muda o fluxo de corrente da parte inferior de drenagem para a direção de origem e o desconecta do ponto de carga elétrica mais alto. Constatou-se que esse design aprimorado aumenta a robustez da ESD em até quatro vezes e reduz o desvio padrão para apenas 1/12. Além disso, o tamanho do dispositivo necessário para garantir HBM* ±2000V reduziu em 68%. A Toshiba oferece plataformas avançadas de processo analógico com tecnologia de processo de 0,13 ?m que podem ser incorporadas com transistores como CMOS, DMOS, transistor bipolar e dispositivos passivos, como resistor e capacitor. O usuário pode selecionar um processo adequado a cada aplicação das três plataformas de processo existentes: "BiCD-0.13" serve principalmente para aplicação automotiva (a linha DMOS vai até 100 V); "CD-0.13BL" serve principalmente para acionadores de controle de motor (a linha DMOS vai até 60 V); e o processo "CD-0.13" serve principalmente para circuito interno de gerenciamento de energia (a linha DMOS vai até 40 V). A Toshiba planeja lançar os produtos usando o processo CD-0.13 aplicado nessa tecnologia em 2017, e continuar a implementar dinamicamente a outras plataformas de processo para melhorar as características da descarga eletrostática. * Modelo de corpo humano (Human Body Model, HBM): um dos parâmetros para indicar a robustez da ESD Sobre a Toshiba A Toshiba Corporation, uma empresa Fortune Global 500, canaliza recursos de nível internacional em sistemas e produtos eletrônicos e elétricos avançados em três áreas comerciais concentradas: Energia que sustenta a vida de todos os dias, que é mais limpa e mais segura; Infra-estrutura que sustenta a qualidade de vida; e Armazenamento que sustenta a sociedade da informação avançada. Guiada pelos princípios do Compromisso Básico do Grupo Toshiba, "Comprometido com as pessoas, comprometido com o futuro", a Toshiba promove operações globais e está contribuindo para a realização de um mundo no qual as próximas gerações possam viver melhor. Fundada em Tóquio em 1875, a Toshiba de hoje está no centro de uma rede global com 550 empresas consolidadas, com 188.000 mil funcionários em todo o mundo e vendas anuais que ultrapassam 5,6 trilhões de ienes (US$ 50 bilhões). (A partir de 31 de março de 2016) Para saber mais sobre a Toshiba, acesse o site www.toshiba.co.jp/index.htm O texto no idioma original deste anúncio é a versão oficial autorizada. As traduções são fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que é a única versão do texto que tem efeito legal.
Toshiba Corporation
Storage & Electronic Devices Solutions Company
Koichi Tanaka / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
Grupo de promoção de comunicações de RI
Divisão de planejamento empresarial
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Fonte: BUSINESS WIRE
A Toshiba Corporation (TOKYO:6502) desenvolveu um dispositivo de proteção contra descarga eletrostática (ESD) para aplicação de semicondutor de energia analógico fabricado com tecnologia avançada de processo de 0,13 ?m, que aprimora a estrutura do transistor e melhora consideravelmente as características de ESD. A proteção contra ESD é até quatro vezes mais forte, e o desvio padrão é de apenas 1/12 da estrutura convencional. A análise de simulações 3D também permitiu que a Toshiba identificasse um mecanismo para aprimorar a estrutura do transistor, reforçando a robustez da ESD. A Toshiba anunciou esses avanços no "ISPSD2016", o simpósio internacional sobre semicondutores realizado na República Checa em 14 de junho de2016. Injeções de surtos de ESD, do corpo humano ou de equipamentos, têm o potencial para destruir dispositivos semicondutores, porque fluxos de corrente de ESD fazem com que a temperatura local aumente dentro do silício. Os dispositivos de proteção contra ESD são necessários para proteção do circuito interno. Isso é especialmente verdadeiro em dispositivos semicondutores analógicos de energia necessários para aplicação de 10V a 100V, o que precisa de uma tensão nominal alta. Nesse caso, dispositivos de proteção contra ESD devem garantir um fluxo de corrente de alta densidade, o que resulta num tamanho maior do chip. Reduzir o tamanho do dispositivo de proteção contra ESD é um problema na produção de chips mais compactos. Usando análise de simulação 3D de um evento de ESD, a Toshiba constatou que a destruição causada por ESD é devido ao aumento da temperatura da estrutura molecular que ocorre como resultado da corrente que flui no ponto de campo elétrico mais alto. Modificando-se a estrutura do transistor que prolonga a região de baixo teor resistivo de drenagem para a direção de origem e suprimindo-se a resistência do silício lateral, muda o fluxo de corrente da parte inferior de drenagem para a direção de origem e o desconecta do ponto de carga elétrica mais alto. Constatou-se que esse design aprimorado aumenta a robustez da ESD em até quatro vezes e reduz o desvio padrão para apenas 1/12. Além disso, o tamanho do dispositivo necessário para garantir HBM* ±2000V reduziu em 68%. A Toshiba oferece plataformas avançadas de processo analógico com tecnologia de processo de 0,13 ?m que podem ser incorporadas com transistores como CMOS, DMOS, transistor bipolar e dispositivos passivos, como resistor e capacitor. O usuário pode selecionar um processo adequado a cada aplicação das três plataformas de processo existentes: "BiCD-0.13" serve principalmente para aplicação automotiva (a linha DMOS vai até 100 V); "CD-0.13BL" serve principalmente para acionadores de controle de motor (a linha DMOS vai até 60 V); e o processo "CD-0.13" serve principalmente para circuito interno de gerenciamento de energia (a linha DMOS vai até 40 V). A Toshiba planeja lançar os produtos usando o processo CD-0.13 aplicado nessa tecnologia em 2017, e continuar a implementar dinamicamente a outras plataformas de processo para melhorar as características da descarga eletrostática. * Modelo de corpo humano (Human Body Model, HBM): um dos parâmetros para indicar a robustez da ESD Sobre a Toshiba A Toshiba Corporation, uma empresa Fortune Global 500, canaliza recursos de nível internacional em sistemas e produtos eletrônicos e elétricos avançados em três áreas comerciais concentradas: Energia que sustenta a vida de todos os dias, que é mais limpa e mais segura; Infra-estrutura que sustenta a qualidade de vida; e Armazenamento que sustenta a sociedade da informação avançada. Guiada pelos princípios do Compromisso Básico do Grupo Toshiba, "Comprometido com as pessoas, comprometido com o futuro", a Toshiba promove operações globais e está contribuindo para a realização de um mundo no qual as próximas gerações possam viver melhor. Fundada em Tóquio em 1875, a Toshiba de hoje está no centro de uma rede global com 550 empresas consolidadas, com 188.000 mil funcionários em todo o mundo e vendas anuais que ultrapassam 5,6 trilhões de ienes (US$ 50 bilhões). (A partir de 31 de março de 2016) Para saber mais sobre a Toshiba, acesse o site www.toshiba.co.jp/index.htm O texto no idioma original deste anúncio é a versão oficial autorizada. As traduções são fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que é a única versão do texto que tem efeito legal.
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Contato:Toshiba Corporation
Storage & Electronic Devices Solutions Company
Koichi Tanaka / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
Grupo de promoção de comunicações de RI
Divisão de planejamento empresarial
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Fonte: BUSINESS WIRE