Última linha acrescenta pacote de produtos "DPAK +" adequados para comutação de alta velocidade
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TÓQUIO, Japão--(
BUSINESS WIRE)--25 de Janeiro de 2013--A Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) lançou uma MOSFET ON-resistence de baixa potência e de baixo vazamento usando o último processo trench MOS como um complemento à programação MOSFET para aplicações automotivas. O novo produto, "TK100S04N1L", atinge ON-resistence de baixa potência com uma combinação da mais recente oitava geração do processo trench MOS "série U-MOS VIII-H" de chip e o pacote "DPAK +" que utiliza conectores Cu (cobre) . O produto é indicado principalmente para aplicações automotivas, especialmente para aqueles que exigem comutação de alta velocidade, tais como transmissões de motores e reguladores de comutação. Amostras já estão disponíveis, com produção em massa prevista para começar em março de 2013.

Toshiba Low ON-Resistance Power MOSFET for Automotive Applications in a "DPAK+" Package (Photo: Business Wire)
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| Polaridade | | Número da peça | |
Tensão de escoamento para fonte VDSS (V)
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Corrente de escoamento ID (A)
| | Série |
| Nch | | TK100S04N1L | | 40 | | 100 | | U-MOS VIII-H |
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| Características principais |
| 1. ON-Resistance de baixa potência: RDS(ON) = 1,9m(typ.) (VGS=10V ) |
| 2. Baixa corrente de fuga: IDSS=10A (máx.) (VDS=tensão nominal) |
| 3. pacote "DPAK +" que realiza ON-resistence de baixa potência utilizando conectores de cobre. |
| 4. Tch = 175°C garantidos |
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*Siga este link para saber mais sobre este produto.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1267638_2470.html
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