A Panasonic Corporation anunciou hoje que lançará o menor pacote do modo
de reforço[1] da indústria transistores de potência de nitreto de gálio
(GaN)[2] (X-GaNTM)**. O GaN está encapsulado em um pacote de
montagem em superfície 8x8 dual plano sem chumbo (DFN). É possível
montar o pacote em uma pequena área onde é difícil montar
convencionalmente, e isso contribui para a redução do consumo de energia
de equipamentos eletrônicos industriais e de consumido.
Esta Publicação Smart News contém multimédia. Ver aqui a publicação na íntegra:
http://www.businesswire.com/news/home/20150518006814/pt/
*: Nas pegadas do modo de reforço de transistores de potência 600-V GaN
desde 18 de maio de 2015, de acordo com a pesquisa feita pela Panasonic
Corporation.
**: X-GaN é uma marca registrada da Panasonic
Corporation.
A tensão de r dos transistores é 600V em um modo de reforço, e os
produtos têm alcançado uma comutação de alta velocidade de 200V/ns e uma
baixa on-resistance[3] de 54 a 154 mQ. A empresa enviará amostras do
produto, tipo 10A (PGA26E19BV) e tipo 15A (PGA26E08BV), em julho de 2015.
O transistor de potência é um dispositivo semicondutor para controlar a
alimentação de energia. GaN é um dos compostos semicondutores mais
notáveis e quando aplicado ao transistor, espera-se maior troca de
desempenho e maior quebra de tensão em relação aqueles de silício (Si) e
carboneto de silício (4H-SiC).
Nosso tipo convencional de transistor de potência GaN está encapsulado
em um pacote de montagem em superfície de alta difusão de calor TO220
(tamanho:15x 9,9 x 4,6mm); entretanto, o pacote não é suficiente para
ser pequeno e está limitado à área de montagem na placa de circuito
impressa no equipamento eletrônico.
A indutância parasitária[4] reduz usando o pacote de montagem em
superfície e, como resultado, o caráter intrínseco do transistor de
potência GaN, a alta troca de desempenho, é trazido ao menor tamanho 8 x
8 x 1,25mm sob 600V de alta tensão. O transistor de potência é acelerado
para introduzir em equipamentos eletrônicos e contribui com a redução do
consumo de energia.
Os produtos serão exibidos na Power Conversion Intelligent Motion 2015
(PCIM 2015) em Nuremberg, Alemanha, de 19 a 21 de maio de 2015.
[Características]
Os transistores de potência GaN são aplicados nas unidades de
alimentação de energia AC-DC (PFCs, conversores DC-DC isolados),
sistemas de carga de bateria, condicionadores de energia PV e inversores
EV mais facilmente.
A empresa retém 200 patentes domésticas e 180 patentes internacionais,
incluindo aplicações pendentes, como US 8779438, a patente básica para
sua estrutura GIT original, e US 8299737, a patente básica para o
sistema de acionamento que aproveita operações normalmente desativadas.
Este trabalho é parcialmente apoiado pela Organização de desenvolvimento
tecnológico industrial e de nova energia (NEDO), Japão, sob o
desenvolvimento estratégico do projeto de tecnologia de conversão de
energia.
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[Explicação dos termos] | ||
[1] |
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Modo de reforço |
Um transistor do modo de reforço é um dispositivo transistor único, capaz de realizar a característica normalmente em folga, uma característica de dispositivos semicondutores que podem prevenir o fluxo de corrente entre a fonte e a drenagem, quando não há tensão aplicada à porta. | ||
[2] |
Nitreto de gálio (GaN) | |
Nitreto de gálio é o composto semicondutor III-V e tem um intervalo de banda larga (entre a banda de valência e a banda de condução). Os materiais do intervalo da banda mais larga tendem a ser caracterizados com uma maior quebra de tensão. | ||
[3] |
On-resistance | |
On-resistance é uma resistência entre os eletrodos fonte e o eletrodo de drenagem de um transistor, quando o transistor está ligado (estado condutivo). | ||
[4] |
Indutância parasitária | |
Indutâncias parasitárias são componentes indutivos não intencionais que existem nos pacotes das partes eletrônicas. Embora tais indutâncias não sejam problemáticas com as unidades de alimentação de energia a uma frequência de 50 ou 60Hz, elas podem ser um obstáculo substancial para operações de alta velocidade com unidades de alimentação de energia GaN operando a uma frequência de várias centenas de kHz a vários MHz. | ||
[5] |
Transistor de porta de injeção (Gate Injection Transistor, GIT) | |
Um GIT é um transistor GaN normalmente em folga, originalmente desenvolvido pela Panasonic Semiconductor Solutions. Novos princípios de operação baseados no aumento da corrente de drenagem no momento do buraco de injeção são usados para manter a compatibilidade entre a baixa on-resistance e o modo de reforço. | ||
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Página Web de produtos GaN:
http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/products/powerics/ganpower
Sobre a Panasonic
A Panasonic Corporation é líder mundial no desenvolvimento de diversas
tecnologias e soluções eletrônicas para os clientes nos setores de
eletrônicos, habitação, automotivo, soluções corporativas e indústrias
de dispositivos. Desde a sua fundação em 1918, a empresa se expandiu
globalmente, e hoje opera mais de 468 subsidiárias e 94 empresas
associadas em todo o mundo, registrando vendas líquidas consolidadas de
7,715 trilhões de ienes para o ano encerrado em 31 de março de 2015.
Empenhada na busca de novos valores através da inovação das linhas
divisionais, a empresa se esforça para criar uma vida melhor e um mundo
melhor para seus clientes. Para saber mais sobre a Panasonic: http://www.panasonic.com/global
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